據(jù)《Nikkei Asia》報(bào)道，瑞薩半導(dǎo)體今日宣布將進(jìn)軍 SiC 功率半導(dǎo)體的消息，預(yù)計(jì)將在日本群馬縣的高崎工廠進(jìn)行生產(chǎn)。

▲ 甲府工廠，圖片來源：瑞薩官網(wǎng)

瑞薩社長柴田英利表示，雖然瑞薩較晚進(jìn)入 SiC 功率半導(dǎo)體市場，但是之前瑞薩在硅基 IGBT 領(lǐng)域等也是較晚投入，現(xiàn)在產(chǎn)品性能已受到市場肯定，SiC 功率半導(dǎo)體也有望復(fù)刻 IGBT 領(lǐng)域的途徑。他同時(shí)指出，瑞薩進(jìn)軍投入 SiC 功率半導(dǎo)體之后，日本在 SiC 功率半導(dǎo)體的市場占有率都有望進(jìn)一步增長。

IT 之家查閱相關(guān)調(diào)研報(bào)告獲悉，SiC 功率半導(dǎo)體在 2021 年市場規(guī)模高達(dá) 1400 億日元（IT 之家備注：當(dāng)前約 71.26 億元人民幣），預(yù)計(jì)到 2030 年將擴(kuò)大到 3.4 萬億日元（當(dāng)前約 1730.6 億元人民幣）。目前該領(lǐng)域主要玩家包括三菱電機(jī)、羅姆半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體和英飛凌等。瑞薩在財(cái)報(bào)中指出，來自中國、歐洲等地區(qū)旺盛的電動(dòng)車消費(fèi)推高了對(duì) SiC、IGBT 等功率半導(dǎo)體的需求。

此外，瑞薩決定重新啟用于 2014 年關(guān)閉的山梨甲府工廠以生產(chǎn) IGBT，已完成進(jìn)行 12 寸晶圓產(chǎn)線的生產(chǎn)設(shè)備投資，預(yù)計(jì) 2024 年上半年量產(chǎn)。瑞薩表示，電動(dòng)車用 IBGT 領(lǐng)域瑞薩已有 10% 份額，甲府工廠投產(chǎn)后有望進(jìn)一步擴(kuò)大市場占有率。