來源：新能源汽車網

?《厲害了，我的國》近期全國熱映，口碑爆棚。這部影片用真實、震撼的畫面記錄了近五年來我國所取得的輝煌成就。

??大銀幕上，除了中國的“超級工程”令人極為震撼之外，還有眾多支撐制造業的驚人高科技。其中，就包括應用于新能源汽車領域的IGBT。

??影片中出現的IGBT生產線正是來自中國中車，目前，中車電動已將其廣泛應用在新能源客車上。憑借對“高鐵基因”先進技術的傳承，中車電動已擁有眾多新能源汽車核心技術，且不斷引領新能源客車發展。

??打破壟斷，核心技術助新能源客車性能再提升

??所謂IGBT就是能源變換與傳輸的核心器件，又被稱為現代功率變流裝置的“心臟”。它是現代科學、工業和國防的重要核心技術，雖然只是一塊小小的芯片，卻對能源效率和產品的性能起著至關重要的影響。

?

??三年前，中車電動母公司——中車株洲所，建成了國內首條、世界上第二條8英寸IGBT芯片及模塊生產線，徹底打破了三十多年來國外壟斷局面。

??在新能源汽車中，IGBT作為電機驅動系統的核心功率器件，能夠“神奇”地將電能自由轉化，既可使直流逆變為交流驅動電機，又可在制動時，將電機交流轉化為直流，回收電能，最終使整車運行效率更高，性能更優。

??如通過利用中車IGBT功率密度大、開關損耗小等優點，使裝載IGBT的新能源汽車能量利用率大大提高，整車更加節能，續航里程更高。數據顯示，中車的新能源整車產品能耗可降低20%以上。

??安全性上，中車電動以IGBT技術突破為切入點，進一步打通了IGBT元器件、模塊、電機控制器關鍵部件、電機驅動系統集成的全產業鏈，實現了以功能安全、電氣安全、機械安全、化學安全為目標的整車電力系統平臺打造，保證了車輛更高的安全性。

??不止IGBT，還有更高超的“黑科技”

??IGBT功能確實強大，然而創新無止步。面對發展迅猛的新能源汽車市場，中車電動又開展了更加“超能”的器件攻關研發——寬禁帶半導體碳化硅（SiC）MOSFET功率器件。

??

??前不久，由中車電動牽頭承擔的國家重點研發計劃“新能源汽車”重點專項“寬禁帶半導體電機控制器開發和產業化”項目已正式啟動。該項目的推進將給新能源汽車帶來一場新的革命，使我國新能源汽車技術水平大大提升，并實現“彎道超車”，趕超國際水平。

??那么，這項技術為何有如此強大功能呢？同樣作為應用于電機控制器上的核心部件，受材料特性影響，寬禁帶半導體碳化硅（SiC）功率器件比IGBT性能更優，是未來發展趨勢。

??

??據了解，當前車用電機控制器主要應用的是以傳統硅基材料為主的IGBT，受材料限制，硅基器件特性已接近極限，而寬禁帶半導體碳化硅（SiC）功率器件，可以同時實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”三個特性，從而使整個系統功率密度、效率再度得到提升。

??也就是說，基于SiC材料的電機控制器會更加超能，在其控制下，車輛的可靠性、動力性以及運行效率等將獲得革命性提升。未來，寬禁帶半導體碳化硅（SiC）功率器件，能使我國新能源汽車技術水平再度邁上新的臺階，從而引領世界。

??隨著新能源汽車的快速發展，中車電動會繼續堅持創新，積極投身于新技術、新產品的攻關研發，為中國、為世界制造出更多性能優越的產品。