里卡多合作安世半導體為GaN電動汽車逆變器研發技術驗證機
2020/02/28 11:29
中金在線
2349
0
蓋世汽車訊 據外媒報道，荷蘭安世半導體(Nexperia)公司宣布與里卡多公司(Ricardo)建立合作伙伴關系，為基于氮化鎵(GaN)技術制成的電動汽車逆變器研發技術驗證機。
GaN是電動汽車逆變器等應用的首選開關，因為GaN場效應晶體管(FET)可讓系統的效率更高、成本降低、熱性能得到改進、開關拓補變得更簡單。從汽車角度看，可以讓汽車的續航里程變長，而續航里程也是困擾人們是否購買電動汽車的主要問題之一。目前，GaN即將取代SiC(碳化硅)或硅基絕緣柵門極晶體管(IGBT)，成為插電式混合動力汽車和純電動汽車牽引逆變器的首選技術。
去年，Nexperia推出獲得AEC-Q101認證的GaN設備系列，為汽車設計人員提供了一個經過驗證、可靠的設備產品組合，能夠滿足動力系統電氣化所要求的功率密度。里卡多在汽車行業也享有很高的聲譽，該公司主要為汽車行業提供概念設計和概念咨詢服務，包括制造和演示原型，而且還與邁凱倫和布加迪等知名領先汽車品牌進行了合作。
安世半導體GaN總經理Michael LeGoff表示：“通過將我們的GaN設備設計成一款逆變器，并通過里卡多進行測試，就能夠更好地理解車輛如何能夠更安全、更可靠地駕駛。”
里卡多公司技術與產品總監Adrian Greaney表示：“半導體技術是逆變器系統的關鍵，對于電動汽車的性能和效率尤為關鍵。GaN在開關速度和效率方面提供了很大的益處，是一項真正的好技術。除了能夠增加汽車的續航里程，還能夠減小逆變器套件的尺寸和重量，從而使動力系統設計變得更加靈活，并有助于減輕車輛重量。”(文中圖片均來自里卡多)
GaN是電動汽車逆變器等應用的首選開關，因為GaN場效應晶體管(FET)可讓系統的效率更高、成本降低、熱性能得到改進、開關拓補變得更簡單。從汽車角度看，可以讓汽車的續航里程變長，而續航里程也是困擾人們是否購買電動汽車的主要問題之一。目前，GaN即將取代SiC(碳化硅)或硅基絕緣柵門極晶體管(IGBT)，成為插電式混合動力汽車和純電動汽車牽引逆變器的首選技術。
去年，Nexperia推出獲得AEC-Q101認證的GaN設備系列，為汽車設計人員提供了一個經過驗證、可靠的設備產品組合，能夠滿足動力系統電氣化所要求的功率密度。里卡多在汽車行業也享有很高的聲譽，該公司主要為汽車行業提供概念設計和概念咨詢服務，包括制造和演示原型，而且還與邁凱倫和布加迪等知名領先汽車品牌進行了合作。
安世半導體GaN總經理Michael LeGoff表示：“通過將我們的GaN設備設計成一款逆變器，并通過里卡多進行測試，就能夠更好地理解車輛如何能夠更安全、更可靠地駕駛。”
里卡多公司技術與產品總監Adrian Greaney表示：“半導體技術是逆變器系統的關鍵，對于電動汽車的性能和效率尤為關鍵。GaN在開關速度和效率方面提供了很大的益處，是一項真正的好技術。除了能夠增加汽車的續航里程，還能夠減小逆變器套件的尺寸和重量，從而使動力系統設計變得更加靈活，并有助于減輕車輛重量。”(文中圖片均來自里卡多)
