近日，東風首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗。

碳化硅寬禁帶半導體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項目，憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導熱等特點，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度等優(yōu)勢，在中高端新能源汽車中的應(yīng)用越來越普及。

智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)項目。該項目以智新半導體封裝技術(shù)為引領(lǐng)，廣泛與中央企業(yè)、高等院校開展合作，從模塊設(shè)計、模塊封裝測試、電控應(yīng)用到整車路試等環(huán)節(jié)，實現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)自主掌控。目前，東風碳化硅模塊開發(fā)項目已參與國務(wù)院國資委專項課題1項，參與行業(yè)標準制定2項。

此次下線的碳化硅模塊，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊降低40%以上，可使整車續(xù)航里程提升5%-8%。

據(jù)悉，智新半導體成立4年來，已申請受理專利51項，其中發(fā)明專利40項，已授權(quán)專利20項。智新半導體獲湖北省“高新技術(shù)企業(yè)”認證、武漢市專精特新“小巨人”企業(yè)認定。